| Название продукта | пьезоэлектрические керамические диски |
|---|---|
| Размер (mm) | Φ10ксΦ5кс2 |
| Емкость к (пФ) | 240±10% |
| Слабое поле Диссипатио Тгδ (12в) | ≤0.5% |
| Сильное δ атионТг Диссип поля (400в) | ≤1.0% |
| Упаковывая детали | нормальная упаковка |
|---|---|
| Время доставки | 30 ДНЕЙ |
| Поставка способности | месяц 1000PCS +per |
| Место происхождения | CN |
| Фирменное наименование | CCWY |
| Название продукта | Пьезоэлектрические керамические материалы |
|---|---|
| Формы | Кольцевидный |
| Слабое поле Диссипатио Тгδ (12в) | ≤0.5% |
| Сильное δ атионТг Диссип поля (400в) | ≤1.0% |
| Импеданс Зм нансе Ресо (Ω) | ≤15 |
| Название продукта | Пьезоэлектрические керамические материалы |
|---|---|
| Формы | Кольцевидный |
| Слабое поле Диссипатио Тгδ (12в) | ≤0.5% |
| Сильное δ атионТг Диссип поля (400в) | ≤1.0% |
| Импеданс Зм нансе Ресо (Ω) | ≤15 |
| Упаковывая детали | нормальная упаковка |
|---|---|
| Время доставки | 30 ДНЕЙ |
| Поставка способности | месяц 1000PCS +per |
| Место происхождения | CN |
| Фирменное наименование | CCWY |
| Название продукта | Пьезоэлектрические керамические материалы |
|---|---|
| Формы | Кольцевидный |
| Слабое поле Диссипатио Тгδ (12в) | ≤0.5% |
| Сильное δ атионТг Диссип поля (400в) | ≤1.0% |
| Импеданс Зм нансе Ресо (Ω) | ≤15 |
| Название продукта | Пьезоэлектрические керамические материалы |
|---|---|
| Формы | Кольцевидный |
| Слабое поле Диссипатио Тгδ (12в) | ≤0.5% |
| Сильное δ атионТг Диссип поля (400в) | ≤1.0% |
| Импеданс Зм нансе Ресо (Ω) | ≤15 |
| Упаковывая детали | упаковка экспорта |
|---|---|
| Время доставки | 3-7 дней |
| Условия оплаты | T / T, Western Union, Paypal |
| Поставка способности | 1-50000 |
| Место происхождения | Китай |
| Упаковывая детали | упаковка экспорта |
|---|---|
| Время доставки | 3-7 дней |
| Условия оплаты | T / T, Western Union, Paypal |
| Поставка способности | 1-50000 |
| Место происхождения | Китай |
| Название продукта | Пьезоэлектрические керамические материалы |
|---|---|
| Формы | Кольцевидный |
| Сильное δ атионТг Диссип поля (400в) | ≤1.0% |
| Импеданс Зм нансе Ресо (Ω) | ≤15 |
| Качественный фактор Км | ≥800 |
